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S12JC V6G

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产品型号
S12JC V6G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
S12JC V6G.pdf
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产品型号
S12JC V6G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
600V
电流 - 平均整流(Io)
12A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
-
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
1µA @ 600V
电容@ Vr,F时
78pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DO-214AB, SMC
供应商设备封装
DO-214AB (SMC)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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