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PMZB600UNELYL

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产品型号
PMZB600UNELYL
制造商
Nexperia
描述
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PMZB600UNELYL.pdf
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产品型号
PMZB600UNELYL
制造商
Nexperia
描述
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
600mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.2V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
950mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.7nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
21.3pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
360mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DFN1006B-3
封装/箱体
3-XFDFN

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