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FDMT800120DC

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产品型号
FDMT800120DC
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDMT800120DC.pdf
总计:$3.57500
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产品型号
FDMT800120DC
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
120V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A (Ta), 129A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.14 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
107nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
7850pF @ 60V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-Dual Cool™88
封装/箱体
8-PowerVDFN

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