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PHM30NQ10T,518

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产品型号
PHM30NQ10T,518
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PHM30NQ10T,518.pdf
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产品型号
PHM30NQ10T,518
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
37.6A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
20 mOhm @ 18A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
53.7nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
3600pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
62.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-HVSON (6x5)
封装/箱体
8-VDFN Exposed Pad

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