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IS43DR16160B-3DBLI-TR

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产品型号
IS43DR16160B-3DBLI-TR
制造商
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
描述
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IS43DR16160B-3DBLI-TR.pdf
总计:$4.12492
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$4.12492

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产品型号
IS43DR16160B-3DBLI-TR
制造商
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
描述
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
零件状态
Active
内存类型
Volatile
存储格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
内存大小
256Mb (16M x 16)
时钟频率
333MHz
写周期时间 - 字,页面
15ns
访问时间
450ps
内存接口
Parallel
电压 - 电源
1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
84-TFBGA
供应商设备封装
84-TWBGA (8x12.5)

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