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TPW1R005PL,L1Q

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产品型号
TPW1R005PL,L1Q
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$1.21800
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$1.21800

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产品型号
TPW1R005PL,L1Q
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
45V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
300A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
2.4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
122nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
9600pF @ 22.5V
FET特点
-
功率耗散(最大)
960mW (Ta), 170W (Tc)
工作温度
175°C
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-DSOP Advance
封装/箱体
8-PowerVDFN

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