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IPG20N06S2L50AATMA1

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产品型号
IPG20N06S2L50AATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPG20N06S2L50AATMA1.pdf
总计:$0.61695
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$0.61695

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产品型号
IPG20N06S2L50AATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
50 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 19µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
17nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
560pF @ 25V
功率 - 最大
51W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8-10

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