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AOWF12N65

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产品型号
AOWF12N65
制造商
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
描述
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
AOWF12N65.pdf
总计:$0.87312
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产品型号
AOWF12N65
制造商
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
描述
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
720 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
48nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2150pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
28W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
-
封装/箱体
TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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