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NVMFSW6D1N08HT1G

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产品型号
NVMFSW6D1N08HT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.74382
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产品型号
NVMFSW6D1N08HT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
17A (Ta), 89A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5.5 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 120µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
32nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2085pF @ 40V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
封装/箱体
8-PowerTDFN, 5 Leads

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