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FDME1024NZT

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产品型号
FDME1024NZT
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
FDME1024NZT
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.8A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.2nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
300pF @ 10V
功率 - 最大
600mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UFDFN Exposed Pad
供应商设备封装
6-MicroFET (1.6x1.6)

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