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SIA950DJ-T1-GE3

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产品型号
SIA950DJ-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SIA950DJ-T1-GE3.pdf
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产品型号
SIA950DJ-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
190V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
950mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.5nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
90pF @ 100V
功率 - 最大
7W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商设备封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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