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HS1M R3G

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产品型号
HS1M R3G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HS1M R3G.pdf
总计:$0.09155
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产品型号
HS1M R3G
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
1000V
电流 - 平均整流(Io)
1A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.7V @ 1A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
75ns
电流 - Vr时反向漏电
5µA @ 1000V
电容@ Vr,F时
20pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
DO-214AC, SMA
供应商设备封装
DO-214AC (SMA)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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