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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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产品型号
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
零件状态
Active
内存类型
Volatile
存储格式
DRAM
技术
SDRAM - Mobile LPDDR2
内存大小
1Gb (64M x 16)
时钟频率
533MHz
写周期时间 - 字,页面
-
访问时间
-
内存接口
Parallel
电压 - 电源
1.14V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
134-VFBGA
供应商设备封装
134-VFBGA (10x11.5)

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