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UM6K1NTN

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产品型号
UM6K1NTN
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
UM6K1NTN
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
零件状态
Not For New Designs
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8 Ohm @ 10mA, 4V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
13pF @ 5V
功率 - 最大
150mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
UMT6

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