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PSMN2R0-25YLDX

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产品型号
PSMN2R0-25YLDX
制造商
Nexperia
描述
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PSMN2R0-25YLDX.pdf
总计:$0.41343
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产品型号
PSMN2R0-25YLDX
制造商
Nexperia
描述
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.09 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
34.1nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2485pF @ 12V
FET特点
Schottky Diode (Body)
功率耗散(最大)
115W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
LFPAK56, Power-SO8
封装/箱体
SC-100, SOT-669

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