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IRLML6302TR

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产品型号
IRLML6302TR
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRLML6302TR.pdf
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产品型号
IRLML6302TR
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
780mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.7V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
600 mOhm @ 610mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
3.6nC @ 4.45V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
97pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
540mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
Micro3™/SOT-23
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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