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IPP052N06L3GXKSA1

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产品型号
IPP052N06L3GXKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPP052N06L3GXKSA1.pdf
总计:$1.62000
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产品型号
IPP052N06L3GXKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
80A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 58µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
50nC @ 4.5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
8400pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
115W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO220-3
封装/箱体
TO-220-3

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