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GSID100A120T2P2

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产品型号
GSID100A120T2P2
制造商
Global Power Technologies Group, Inc.
描述
SILICON IGBT MODULES
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GSID100A120T2P2.pdf
总计:$137.13000
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1pcs
$137.13000

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产品型号
GSID100A120T2P2
制造商
Global Power Technologies Group, Inc.
描述
SILICON IGBT MODULES
零件状态
Active
IGBT类型
-
组态
Three Phase Inverter
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
200A
功率 - 最大
710W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.1V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止(最大)
1mA
输入电容(连锁商店)@的Vce
13.7nF @ 25V
输入
Three Phase Bridge Rectifier
NTC热敏电阻器
Yes
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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