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IRF7341QTRPBF

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产品型号
IRF7341QTRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRF7341QTRPBF.pdf
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产品型号
IRF7341QTRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.1A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
50 mOhm @ 5.1A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
44nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
780pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SO

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