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APTC60AM45T1G

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产品型号
APTC60AM45T1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$40.49910
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$40.49910

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产品型号
APTC60AM45T1G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
49A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
45 mOhm @ 24.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.9V @ 3mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
150nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
7200pF @ 25V
功率 - 最大
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP1
供应商设备封装
SP1

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