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STGW8M120DF3

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产品型号
STGW8M120DF3
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STGW8M120DF3.pdf
总计:$4.09000
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产品型号
STGW8M120DF3
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
16A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
32A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.3V @ 15V, 8A
功率 - 最大
167W
开关能量
390µJ (on), 370µJ (Off)
输入类型
Standard
栅极电荷
32nC
TD(开/关)@ 25℃
20ns/126ns
测试条件
600V, 8A, 33 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
103ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247-3

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