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SP8K2FU6TB

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产品型号
SP8K2FU6TB
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SP8K2FU6TB.pdf
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产品型号
SP8K2FU6TB
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
30 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10.1nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
520pF @ 10V
功率 - 最大
2W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SOP

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