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BUK9E1R8-40E,127

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产品型号
BUK9E1R8-40E,127
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
BUK9E1R8-40E,127
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.7 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
120nC @ 5V
VGS(最大)
±10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
16400pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
349W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
I2PAK
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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