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CSD86336Q3D

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产品型号
CSD86336Q3D
制造商
Texas Instruments
描述
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CSD86336Q3D.pdf
总计:$0.73360
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产品型号
CSD86336Q3D
制造商
Texas Instruments
描述
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Logic Level Gate, 5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20A (Ta)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
功率 - 最大
6W
工作温度
-55°C ~ 125°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-VSON (3.3x3.3)

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