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SI1032R-T1-GE3

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产品型号
SI1032R-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI1032R-T1-GE3.pdf
总计:$0.13405
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产品型号
SI1032R-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
140mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.75nC @ 4.5V
VGS(最大)
±6V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
250mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SC-75A
封装/箱体
SC-75A

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