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FD1000R17IE4DB2BOSA1

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产品型号
FD1000R17IE4DB2BOSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MODULE IGBT PRIME3-1
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FD1000R17IE4DB2BOSA1.pdf
总计:$660.30500
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$660.30500

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产品型号
FD1000R17IE4DB2BOSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MODULE IGBT PRIME3-1
零件状态
Active
IGBT类型
-
组态
Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1700V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
1390A
功率 - 最大
6250W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.45V @ 15V, 1000A
电流 - 集电极截止(最大)
5mA
输入电容(连锁商店)@的Vce
81nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
Yes
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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