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MB85R256FPF-G-BND-ERE1

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产品型号
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
制造商
Fujitsu Electronics America, Inc.
描述
IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
MB85R256FPF-G-BND-ERE1.pdf
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产品型号
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
制造商
Fujitsu Electronics America, Inc.
描述
IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
零件状态
Obsolete
内存类型
Non-Volatile
存储格式
FRAM
技术
FRAM (Ferroelectric RAM)
内存大小
256Kb (32K x 8)
时钟频率
-
写周期时间 - 字,页面
150ns
访问时间
150ns
内存接口
Parallel
电压 - 电源
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供应商设备封装
28-SOP

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