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NGTB60N65FL2WG

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产品型号
NGTB60N65FL2WG
制造商
ON Semiconductor
描述
650V/60A IGBT FSII
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$11.92000
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$11.92000

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产品型号
NGTB60N65FL2WG
制造商
ON Semiconductor
描述
650V/60A IGBT FSII
零件状态
Active
IGBT类型
Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
100A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
240A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2V @ 15V, 60A
功率 - 最大
595W
开关能量
1.59mJ (on), 660µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
318nC
TD(开/关)@ 25℃
117ns/265ns
测试条件
400V, 60A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
96ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247-3

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