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SI6562DQ-T1-E3

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产品型号
SI6562DQ-T1-E3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI6562DQ-T1-E3.pdf
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产品型号
SI6562DQ-T1-E3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
零件状态
Obsolete
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
600mV @ 250µA (Min)
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装
8-TSSOP

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