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TPC8208(TE12L,Q,M)

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产品型号
TPC8208(TE12L,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TPC8208(TE12L,Q,M).pdf
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产品型号
TPC8208(TE12L,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
50 mOhm @ 2.5A, 4V
VGS(TH)(最大)标识
1.2V @ 200µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
9.5nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
780pF @ 10V
功率 - 最大
450mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装
8-SOP (5.5x6.0)

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