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EPC2108

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产品型号
EPC2108
制造商
EPC
描述
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
EPC2108.pdf
总计:$0.82600
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产品型号
EPC2108
制造商
EPC
描述
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
零件状态
Active
FET型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特点
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
60V, 100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.7A, 500mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
9-VFBGA
供应商设备封装
9-BGA (1.35x1.35)

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