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JAN2N7334

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产品型号
JAN2N7334
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
JAN2N7334
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
零件状态
Active
FET型
4 N-Channel
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
700 mOhm @ 600mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
60nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
14-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备封装
MO-036AB

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