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TSM6502CR RLG

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产品型号
TSM6502CR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM6502CR RLG.pdf
总计:$0.26825
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产品型号
TSM6502CR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
24A (Tc), 18A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
功率 - 最大
40W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-PDFN (5x6)

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