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HGT1S20N36G3VL

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产品型号
HGT1S20N36G3VL
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HGT1S20N36G3VL.pdf
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产品型号
HGT1S20N36G3VL
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
零件状态
Obsolete
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
395V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
37.7A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
-
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
1.9V @ 5V, 20A
功率 - 最大
150W
开关能量
-
输入类型
Logic
栅极电荷
28.7nC
TD(开/关)@ 25℃
-/15µs
测试条件
300V, 10A, 25 Ohm, 5V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK (TO-262)

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