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RGT8NS65DGTL

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产品型号
RGT8NS65DGTL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
RGT8NS65DGTL
制造商
ROHM Semiconductor
描述
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
8A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
12A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大
65W
开关能量
-
输入类型
Standard
栅极电荷
13.5nC
TD(开/关)@ 25℃
17ns/69ns
测试条件
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
40ns
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
LPDS (TO-263S)

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