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FDD2582

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产品型号
FDD2582
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDD2582.pdf
总计:$0.69697
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产品型号
FDD2582
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.7A (Ta), 21A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
66 mOhm @ 7A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1295pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
95W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TO-252AA
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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