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DMN2600UFB-7

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产品型号
DMN2600UFB-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN2600UFB-7.pdf
总计:$0.07098
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产品型号
DMN2600UFB-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.3A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.85nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
70.13pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
540mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
3-DFN1006 (1.0x0.6)
封装/箱体
3-UFDFN

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