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QS6M4TR

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产品型号
QS6M4TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
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产品型号
QS6M4TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V, 20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1.5A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.6nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
80pF @ 10V
功率 - 最大
1.25W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装
TSMT6 (SC-95)

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