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NVMFD5875NLT1G

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产品型号
NVMFD5875NLT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.51727
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产品型号
NVMFD5875NLT1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
7A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
33 mOhm @ 7.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
20nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
540pF @ 25V
功率 - 最大
3.2W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商设备封装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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