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APT100GT120JR

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产品型号
APT100GT120JR
制造商
Microsemi
描述
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$43.06000
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$43.06000

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产品型号
APT100GT120JR
制造商
Microsemi
描述
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
零件状态
Active
IGBT类型
NPT
组态
Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
123A
功率 - 最大
570W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
3.7V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止(最大)
100µA
输入电容(连锁商店)@的Vce
6.7nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
No
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
供应商设备封装
ISOTOP®

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