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SCT2H12NZGC11

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产品型号
SCT2H12NZGC11
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$6.25000
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产品型号
SCT2H12NZGC11
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压(Vdss)
1700V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.7A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
18V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 900µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
14nC @ 18V
VGS(最大)
+22V, -6V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
184pF @ 800V
FET特点
-
功率耗散(最大)
35W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-3PFM
封装/箱体
TO-3PFM, SC-93-3

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