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DMN65D8LQ-13

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产品型号
DMN65D8LQ-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 60V SOT23
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN65D8LQ-13.pdf
总计:$0.03209
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产品型号
DMN65D8LQ-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 60V SOT23
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
310mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
3 Ohm @ 115mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.87nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
22pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
370mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-23
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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