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RN1901FETE85LF

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产品型号
RN1901FETE85LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
RN1901FETE85LF.pdf
总计:$0.07004
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产品型号
RN1901FETE85LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
零件状态
Active
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极(Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻 - 基(R 1)
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)
4.7 kOhms
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)
100nA (ICBO)
频率 - 转换
250MHz
功率 - 最大
100mW
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装
ES6

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