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QS8J2TR

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产品型号
QS8J2TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
QS8J2TR.pdf
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产品型号
QS8J2TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
零件状态
Active
FET型
2 P-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
36 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
20nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1940pF @ 6V
功率 - 最大
550mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
供应商设备封装
TSMT8

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