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EFC4618R-P-TR

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产品型号
EFC4618R-P-TR
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH EFCP1818
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
EFC4618R-P-TR
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH EFCP1818
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏极至源极电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25.4nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
1.6W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
4-XBGA, 4-FCBGA
供应商设备封装
EFCP1313-4CC-037

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