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BSO080P03NS3GXUMA1

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产品型号
BSO080P03NS3GXUMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSO080P03NS3GXUMA1.pdf
总计:$0.42350
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产品型号
BSO080P03NS3GXUMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8 mOhm @ 14.8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.1V @ 150µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
81nC @ 10V
VGS(最大)
±25V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6750pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-DSO-8
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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