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APTGT200DH60G

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产品型号
APTGT200DH60G
制造商
Microsemi
描述
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$85.88350
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(以美元)
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$85.88350

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产品型号
APTGT200DH60G
制造商
Microsemi
描述
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
零件状态
Active
IGBT类型
Trench Field Stop
组态
Asymmetrical Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
290A
功率 - 最大
625W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
1.9V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大)
250µA
输入电容(连锁商店)@的Vce
12.3nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻器
No
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP6
供应商设备封装
SP6

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