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RHU003N03FRAT106

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产品型号
RHU003N03FRAT106
制造商
ROHM Semiconductor
描述
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
RHU003N03FRAT106.pdf
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产品型号
RHU003N03FRAT106
制造商
ROHM Semiconductor
描述
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
300mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.2 Ohm @ 300mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
20pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
200mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
UMT3
封装/箱体
SC-70, SOT-323

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