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RTQ025P02TR

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产品型号
RTQ025P02TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
RTQ025P02TR.pdf
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产品型号
RTQ025P02TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
零件状态
Not For New Designs
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
2.5A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
100 mOhm @ 2.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.4nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
580pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.25W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TSMT6 (SC-95)
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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