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DMN1016UCB6-7

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产品型号
DMN1016UCB6-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN1016UCB6-7.pdf
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产品型号
DMN1016UCB6-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
5.5A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.2nC @ 4.5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
423pF @ 6V
FET特点
-
功率耗散(最大)
920mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
U-WLB1510-6
封装/箱体
6-UFBGA, WLBGA

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